[中介]采用低损耗CSTBTTM硅片技术 LPT结构用于1200V模块，更加适合于并联使用额定电流定义比市场上同类产品高一个等级外形尺寸与H系列IGBT完全兼容内置导热性能优异的氮化铝(AlN)绝缘基层，热阻小通过调整底板和
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福建安溪灿宏电子科技有限公司 电子模块2024-04-16 09:33:25
[中介]采用CSTBTTM硅片技术饱和压降低、短路承受能力强、驱动功率小比同等级其他沟槽型IGBT电流输出能力高10%，在相同输出电流时ΔT(j-f)低15% 成本优化的封装内置导热性能优异的氮化铝(AlN)绝缘基层，热阻小模块
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[中介]采用第6代IGBT硅片技术，损耗低二极管采用第6代LPT硅片技术，正向导通压降低硅片结温可高达175°C 硅片运行温度最高可达150°C 内部集成NTC测温电阻全系列共享同一封装平台有条件接受客户定制
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[中介]采用第6代IGBT硅片技术，损耗低硅片结温可高达175°C 硅片运行温度最高可达150°C 内部集成NTC测温电阻封装兼容第五代A/NF系列模块
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[中介]最新的CSTBTTM硅片技术带来：杰出的短路鲁棒性 - 降低了栅极电容 - 低VCE(sat) Vs. Eoff 新的紧凑型封装良好的匹配液体冷却多孔型端子使得接触阻抗更低，实现更可靠的长期电气连接端子孔径与安装定位孔径一
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[中介]采用CSTBTTM硅片技术，实现开关速度控制的最优化饱和压降低于业界同类产品续流二极管：超高速恢复特性，极低拖尾电流开关频率可达30kHz 模块内部寄生电感低
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[中介]
产 品 型 号 参 数 说 明
SKM145GAL176D 1单元，140A/1700V
SKM200GB176D 2单元，200A/1700V
SKM200GAL176D 1单元，200A/1700V
SKM400GAL176D 1单元，400A
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[中介]采用CSTBTTM硅片技术，实现开关速度控制的最优化
饱和压降低于业界同类产品
续流二极管：超高速恢复特性，极低拖尾电流
开关频率可达60kHz
模块内部寄生电感低
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[中介]SEMiX302GAL(R)12E4s 1单元，300A/1200V
SEMiX223GB12Vs 2单元，225A/1200V
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[中介]超高速型频率30KHZ系列
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